متحده ایالات د سیمی کنډکټر مواد رامینځته کوي چې د لوړ حرارتي چالکتیا سره د چپ تودوخې فشارولو لپاره.
په چپ کې د ټرانزیسټرونو شمیر زیاتوالي سره، د کمپیوټر کمپیوټري فعالیت ښه کیدو ته دوام ورکوي، مګر لوړ کثافت هم ډیری ګرم ځایونه تولیدوي.
د مناسب حرارتي مدیریت ټیکنالوژۍ پرته ، د پروسیسر د عملیاتو سرعت ورو کولو او د اعتبار کمولو سربیره ، د ډیر تودوخې مخنیوي او اضافي انرژي ته اړتیا لپاره لاملونه هم شتون لري ، د انرژي غیر موثریت ستونزې رامینځته کوي. د دې ستونزې د حل لپاره، د کالیفورنیا پوهنتون، لاس انجلس په 2018 کې د خورا لوړ حرارتي چالکتیا سره یو نوی سیمیکمډکټر مواد رامینځته کړی چې د عیب څخه پاک بوران ارسنایډ او بوران فاسفایډ څخه جوړ شوی دی، کوم چې د موجوده تودوخې تحلیل موادو سره ورته دی لکه. الماس او سیلیکون کاربایډ. نسبت، د حرارتي چالکتیا څخه 3 ځله ډیر.
د 2021 په جون کې، د کالیفورنیا پوهنتون، لاس انجلس، د لوړ ځواک کمپیوټر چپس سره یوځای کولو لپاره نوي سیمیکمډکټر توکي کارولي ترڅو د چپس د تودوخې تولید په بریالیتوب سره ودروي، په دې توګه د کمپیوټر فعالیت ښه کړي. د څیړنې ټیم د بورون ارسنایډ سیمیکمډکټر د چپ او تودوخې سنک ترمینځ د تودوخې سنک او چپ ترکیب په توګه داخل کړ ترڅو د تودوخې تحلیل اغیز ښه کړي ، او د اصلي وسیلې د حرارتي مدیریت فعالیت په اړه څیړنې ترسره کړي.
د بوران ارسنایډ سبسټریټ د پراخه انرژي خلا ګالیم نایټراید سیمیکمډکټر سره تړلو وروسته ، دا تایید شوه چې د ګیلیم نایټریډ / بورون ارسنایډ انٹرفیس حرارتي چالکتیا تر 250 MW/m2K پورې لوړه وه ، او د انٹرفیس حرارتي مقاومت خورا کوچنۍ کچې ته رسیدلی. د بوران ارسنایډ سبسټریټ نور د پرمختللي لوړ بریښنایی حرکت ټرانزیسټر چپ سره یوځای شوی چې د المونیم ګالیم نایټرایډ/ګالیم نایټرایډ څخه جوړ شوی ، او دا تایید شوې چې د تودوخې تحلیل اغیز د المونیم یا سیلیکون کاربایډ په پرتله د پام وړ ښه دی.
د څیړنې ټیم چپ په اعظمي ظرفیت کې چلولی ، او د خونې د تودوخې څخه تر لوړې تودوخې پورې ګرم ځای اندازه کړی. تجربې پایلې ښیې چې د الماس تودوخې سنک تودوخه 137 درجې سانتي ګراد ده ، د سیلیکون کاربایډ تودوخې سنک 167 درجې سانتي ګراد دی ، او د بورون ارسنایډ تودوخې سنک یوازې 87 درجې سانتي ګراد دی. د دې انٹرفیس عالي حرارتي چالکتیا د بورون ارسنایډ ځانګړي فونونیک بانډ جوړښت او د انٹرفیس ادغام څخه راځي. د بورون ارسنایډ مواد نه یوازې لوړ حرارتي چالکتیا لري ، بلکه یو کوچنی انٹرفیس حرارتي مقاومت هم لري.
دا د لوړې وسیلې عملیاتي ځواک ترلاسه کولو لپاره د تودوخې سنک په توګه کارول کیدی شي. تمه کیږي چې په راتلونکي کې د اوږد واټن، لوړ ظرفیت بې سیم مخابراتو کې وکارول شي. دا د لوړې فریکونسۍ بریښنا بریښنایی یا بریښنایی بسته بندۍ په برخه کې کارول کیدی شي.
د پوسټ وخت: اګست-08-2022